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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
12.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3158
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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