RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3673
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link