RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
6.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3673
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link