RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
42
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
42
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
10.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2701
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link