RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
42
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2701
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link