RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2663
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link