RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
38
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2206
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link