RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
38
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
8.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2206
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link