RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
64
Por volta de 53% menor latência
Razões a considerar
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
64
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
9.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2205
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link