RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
52
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
52
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2306
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link