RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
52
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
52
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2306
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link