RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
30
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
10.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2541
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link