RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2541
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link