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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
41
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.4
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1348
2062
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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