RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.1
11.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1348
2062
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link