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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
41
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.1
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1348
2062
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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