RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
50
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
50
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3277
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link