RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
50
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
50
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
3.0
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
3277
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link