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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
38
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
34
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3153
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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