RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3373
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link