RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3373
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link