RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3373
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link