Comparação RAM Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Pontuação geral

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

38 41

Por volta de 7% menor latência

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

7.8 7.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

6.1 3.0

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 12800

Por volta de 1.33 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

915 1512

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns