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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

総合得点
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 41
    周辺 7% 低遅延
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 7.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.1 left arrow 3.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    7.2 left arrow 7.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.0 left arrow 6.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    915 left arrow 1512

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