RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
38
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
22
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
2623
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link