RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
3.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2623
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link