RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link