RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2527
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link