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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
31
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1304
1920
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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