Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 31
    Около -11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.8 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.9 left arrow 6.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.8 left arrow 11.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.7 left arrow 7.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1304 left arrow 1920
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения