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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
2190
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
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