RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
2876
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link