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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
3480
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
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