RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3480
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link