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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
55
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
13.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
55
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
13.6
13.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2717
2701
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
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