RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
55
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
55
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
13.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2701
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link