RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
55
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2701
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link