RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
55
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2701
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link