RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Comparar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
32
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
12.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.7
14.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3075
3189
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link