RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
32
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3189
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link