RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
32
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.4
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.7
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3189
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link