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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Pontuação geral
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
77
Por volta de -126% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
1,884.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,936.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,884.0
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
564
2902
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparações de RAM
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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