RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
77
Около -126% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2902
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link