SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Pontuação geral
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15 left arrow 13.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 19200
    Por volta de 1.11% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 36
    Por volta de -44% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.1 left arrow 10.1
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR5
  • Latência em PassMark, ns
    36 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.0 left arrow 13.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 12.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2657 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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