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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Comparar
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.6
11.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2382
2264
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
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