RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB против Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.6
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
15.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2382
2264
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link