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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
39
读取速度,GB/s
15.1
15.5
写入速度,GB/s
11.6
11.5
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2382
2264
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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