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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
41
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
39
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
2221
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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