RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
41
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
39
Velocità di lettura, GB/s
11.6
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
2221
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link