RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1438
2852
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link