RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
2852
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link