RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Comparar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
17.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1406
3666
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link